Samsung анонсувала інноваційну пам'ять під назвою Selector-Only Memory (SOM), яка обіцяє змінити уявлення про високошвидкісну та енергонезалежну пам'ять. Нова технологія об'єднує швидкість читання та запису, співставну з DRAM і можливість масштабування, що робить її перспективною для багатьох застосувань. Таким чином, SOM поєднує в собі властивості оперативної пам'яті (RAM) і твердотільних накопичувачів (SSD).
Основою SOM стала унікальна перехресна архітектура, що нагадує принципи роботи пам'яті з фазовим переходом та резистивної пам'яті (RRAM). Замість традиційних підходів з використанням транзисторів або діодів, Samsung зосередилася на матеріалах на основі халькогенідів, що дозволяє інтегрувати функції селектора та пам'яті в одному пристрої. Цей крок забезпечив значне покращення стабільності та продуктивності.
Спеціалісти Samsung представлять свої досягнення на Міжнародному зібранні електронних приладів (IEDM), яке відбудеться з 7 по 11 грудня в Сан-Франциско. SOM може стати не тільки альтернативою існуючим технологіям, але й задати нові стандарти для майбутніх рішень у галузі пам'яті, поєднуючи в собі найкращі якості оперативної та флеш-пам'яті.
По сути дела, да. А в перспективе, как я понял, Selector-Only Memory (SOM) сможет быть интегрирована в сам процессор, хотя пока неясно, как именно.
такова небуит ибо бабло , бабло и бабло победит
как пример шины с 3мя противодождевыми, и без них зимой поездийте,а шина таже
Дело приближается к универсальному типу памяти с высокой скоростью и одновременной энергонезависмостью. Если случиться, это изменит принцип архитектуры компьютеров. Оперативная память больше будет не нужна. Её функции будет выполнять одна постоянная энергонезависимая. Так надо понимать?