Samsung планує значно розширити можливості своїх SSD-накопичувачів, підвищивши їх ємність і швидкість запису до 2027 року. Для цього Samsung готова відмовитися від традиційної CoP-архітектури, на зміну якій прийде нова технологія BV NAND — вертикальне з'єднання кристалів. Новий підхід передбачає роздільне виробництво осередків пам'яті та керуючих схем, які потім об'єднуються в єдину структуру. Це забезпечить не тільки збільшення щільності запису на 60%, але й зниження ризику пошкоджень мікросхем, роблячи накопичувачі більш надійними та продуктивними.
До 2027 року Samsung планує вивести на ринок 11-те покоління V-NAND з тисячею шарів, що, за оцінками, збільшить швидкість введення-виведення даних на 50%. Також компанія працює над покращенням DRAM-пам'яті, переходячи на технологію VCT (вертикальні канальні транзистори), що дозволяє створити тривимірні структури пам'яті, які знизять рівень взаємного впливу осередків і забезпечать більш високу щільність і швидкість роботи.
Інноваційний підхід у виробництві V-NAND обіцяє революцію в області зберігання даних: користувачі отримають більш компактні, швидкі та довговічні пристрої вже в найближчі пару років.
Давно пора! Раньше жесткие диски совершенствовались постоянно, а щас у них какой-то ступор...
скока уже произвели этих хардов свыше 2тэриков, их отсилы берут 3-5пр.насиления, для любого производства это смерть от застоя
Логично, все технологии развиваются.