Крупніші виробники DRAM — Samsung Electronics, SK Hynix та Micron — готуються до масштабних змін на ринку оперативної пам'яті. За даними галузевих джерел, до кінця 2025 року вони можуть повністю припинити виробництво модулів DDR3 та DDR4, зосередившись на випуску DDR5 та пам'яті з високою пропускною здатністю (HBM).
Відмова від застарілих стандартів пам'яті може призвести до нестачі DDR3 та DDR4 вже у другій половині 2025 року. Аналітики зазначають, що після зупинки виробництва запаси цих модулів опиняться під тиском, а основні поставки залежатимуть від тайваньських виробників, таких як Nanya Technology та Winbond. Однак навіть вони не зможуть повністю компенсувати можливий дефіцит.
Основною причиною відмови від DDR3 та DDR4 стало змінення пріоритетів індустрії. Великі виробники переорієнтуються на випуск високошвидкісних модулів пам'яті, затребуваних у сегментах серверних рішень, штучного інтелекту та хмарних обчислень. У зв'язку з цим Winbond має намір перейти на 16-нм техпроцес, що дозволить їй випускати 8-гігабітні чіпи пам'яті.
За прогнозами Nanya Technology, ринок DRAM досягне мінімуму в першій половині 2025 року, після чого почнеться відновлення завдяки зростанню попиту та покращеному управлінню запасами. В перспективі основна увага буде приділятися DDR5 та HBM, які забезпечують вищу пропускну здатність та енергоефективність.
Хоча Samsung та SK Hynix мають намір зосередитися на випуску передових модулів пам'яті, інші виробники, включаючи китайську CXMT, можуть зайняти їхнє місце на ринку DDR4. Однак експерти сумніваються, що це дозволить повністю компенсувати відмову найбільших гравців від старих стандартів. Таким чином, перехід на DDR5 стає неминучим, а користувачі, які залежать від DDR3 та DDR4, можуть зіткнутися з ростом цін та обмеженою доступністю модулів у найближчі роки.