Micron анонсувала нову DDR5-9200 — революцію в DRAM з використанням EUV-літографії

Компанія Micron Technology представила свою новітню DDR5 мікросхему, виготовлену за технологією 1γ з використанням EUV-літографії — перший такий досвід для компанії. Нова 16-гігабітна (2 ГБ) DRAM демонструє швидкість передачі даних до 9200 МТ/с при стандартному напрузі 1,1 В, що значно перевищує базові вимоги сучасних стандартів.

Новий виріб відрізняється не лише підвищеною тактовою частотою, але й покращеними енергетичними характеристиками. У порівнянні з попередньою версією, виконаною за технологією 1β, нова мікросхема споживає на 20% менше енергії та має на 30% більшу щільність біт, що може призвести до зниження собівартості виробництва при досягненні оптимальних виходів. Незважаючи на те, що швидкість 9200 МТ/с виходить за рамки типових специфікацій DDR5, Micron запевняє, що чіп повністю відповідає стандартам JEDEC. Такий підхід дозволяє не лише задовольнити існуючі вимоги, але й закласти основу для сумісності з майбутніми процесорами.

На поточному етапі компанія відвантажує зразки нової пам’яті обраним партнерам для проведення всебічного тестування. Завершення кваліфікаційних випробувань очікується в кінці кварталу, а запуск масового виробництва заплановано на середину 2025 року. Технологія 1γ, вперше впровадивши EUV-літографію у виробництво, поєднує в собі традиційні методи багатошаблонного DUV-процесу з новітніми розробками, такими як високоелектричні металеві затвори та вдосконалена архітектура міжз'єднань (BEOL).

Micron не збирається зупинятися на досягнутому — в планах компанії подальше використання технології 1γ для створення нових продуктів, включаючи рішення для графічних карт (GDDR7) та мобільних пристроїв (LPDDR5X з частотою до 9600 МТ/с). Такий стратегічний крок дозволить Micron зміцнити свої позиції на ринку пам'яті, пропонуючи інноваційні рішення як для високопродуктивних систем, так і для енергоефективних мобільних пристроїв.