На конференції Intel Foundry Direct 2025, що відбулася в Сан-Хосе, компанія Intel представила ряд нововведень, що стосуються її виробництва чіпів. Основна увага була приділена новим технологічним процесам і методам упаковки мікросхем, серед яких — 14A, 18A-P і 18A-PT.
Технологічний процес 14A, який стане наступним кроком після 18A, вже привернув перших клієнтів. Він розрахований на випуск тестових чіпів з використанням другої версії технології подачі живлення з тилу кристала (PowerVia) і оснащений покращеними транзисторами RibbonFET. Крім того, в рамках цього технологічного процесу буде реалізовано нову розробку під назвою Turbo Cells — технологію, спрямовану на підвищення тактових частот і оптимізацію співвідношення продуктивності та енергоефективності. Деталі про механізм її роботи поки не розкриваються, але відомо, що вона дозволить адаптувати параметри обчислювальних блоків під задачі конкретних додатків.
Також Intel продовжує просування технологічного процесу 18A, який вже досяг стадії пробного виробництва. Паралельно з ним розробляються його розширення. Версія 18A-P орієнтована на більш високу продуктивність, а 18A-PT призначена для тривимірної компоновки кристалів із застосуванням технології Foveros Direct 3D і гібридних з'єднань. Таке рішення дозволяє розміщувати напівпровідникові модулі один над одним, скорочуючи затримки та підвищуючи щільність розміщення — підхід, який вже застосовують конкуренти, наприклад, у продукції AMD з технологією 3D V-Cache.
Як зазначають представники компанії, Intel має намір використовувати переваги локального виробництва і продовжувати нарощувати технологічну базу, роблячи ставку на вертикальну інтеграцію та довгострокове співробітництво з клієнтами та партнерами.
Размер добавляемого кэша будет зависеть от того сколько игроки готовы заплатить за него дополнительно. Возможно Intel сможет масштабировать кэш сделанный с меньшим техпроцессом. Пока что кэш 3/4го уровня изготавливают отдельно по техпроцессу 5нм-6нм. Размер ячеек не падает при уменьшении техпроцесса TSMC.
Новая структура PowerVIA позволяет разместить подвод питания снизу транзисторов, затем создать кремний канала транзистора, а выше разместить сигнальные проводники. Это увеличивает плотность компоновки транзисторов, так как места для подвода проводников в 2 раза больше (с двух сторон).
Переход с Intel 7 (14е поколение) на TSMC 3nm (Core Ultra 200S) не показал большой разницы производительности, так как она зависит и от микроархитектуры. Частоты даже упали с 6ГГц до 5.6ГГц.