На конференции Hot Chips 33 компания Samsung представила подробности своих будущих модулей памяти DDR5. И, похоже, они окажутся весьма ёмкими.
Если точнее, то речь идёт о ёмкости в 512 ГБ на модуль. Как ожидается, новая память получит 8-слойную компоновку (сейчас используется 4-слойная). Это одновременно уменьшит размеры чипов и расстояние между ними, позволит нарастить объём и обеспечит лучшее охлаждение.
Столь огромные объемы оперативной памяти, вероятно, найдут применение в центрах обработки данных. Хотя в будущем не исключено появление и игровых наборов DDR5 такого типа. При этом в Samsung не ожидают, что переход с DDR4 на DDR5 произойдет скоро. По оценкам компании, массового появления новой памяти стоит ожидать в 2023-24 годах.
Впрочем, появление первых модулей DDR5 для обычных компьютеров может состояться уже в конце этого года, с выходом процессоров Intel Alder Lake и материнских плат с поддержкой нового стандарта.
1)камни из масс гемента не будут поддерживать такой объем. Сейчас топовый камень масс сегмента i9 11900k поддерживает 128гб максимум. Вряд ли ближайшие 2-3 поколения они станут поддерживать 512гб озу.
2)стоить такие киты будут как боинг
3)даже с учетом многозадачности, всяких тяжелых приложений и игр, 512гб будет мягко говоря избыточна для масс сегмента, и возможно, никогда не потребуется до выхода ддр6, например.
А вот для всяких промышленных задач, как указано в статье, дата центров и тп это конечно круто.