Розроблені в MIT нанотранзистори можуть замінити кремнієві

Вчені Массачусетського технологічного інституту (MIT) представили новий тип 3D-транзисторів, які можуть змінити майбутнє електроніки, зробивши її більш потужною та економічною. Ці пристрої, виготовлені з використанням ультратонких напівпровідникових матеріалів, здатні працювати при значно меншій напрузі, ніж традиційні кремнієві аналоги, що робить їх особливо перспективними для енергоємних застосувань, таких як штучний інтелект.

Основою інновації став ефект квантового тунелювання, завдяки якому електрони можуть проникати через енергетичний бар'єр, а не долати його, як в звичайних транзисторах. Це дозволяє транзисторам з вертикальними нанопроводами шириною всього кілька нанометрів досягати продуктивності, порівнянної з кремнієвими рішеннями, при цьому потребуючи менше енергії.

Долаючи так звану «тиранію Больцмана» — фізичне обмеження для кремнієвих транзисторів, вчені змогли досягти більш крутої кривої перемикання та високої сили струму. Таке досягнення відкриває перспективи для компактної та енергоефективної електроніки, здатної підтримувати високі обчислювальні навантаження при мінімальному споживанні енергії.

Дослідники підкреслюють, що комерційна реалізація цієї технології потребуватиме доробок, однак вже зараз вона демонструє проривні результати і може з часом замінити кремній у традиційних напівпровідникових процесах.