Вчені створили флешку з щільністю запису 1,9 Тбайт на см² з невикористаного раніше матеріалу

Міжнародна група вчених здійснила прорив у галузі технологій зберігання даних, створивши флешку на основі нанодроту з телуру. Цей новий пристрій демонструє рекордну щільність запису даних, що перевищує 1,9 Тб на см² і відкриває перспективи для створення енергонезалежної пам'яті наступного покоління.

Унікальність розробки полягає у використанні сегнетоелектричного ефекту в однокомпонентному матеріалі — телурі. Цей ефект раніше був відомий лише теоретично, однак дослідники продемонстрували його на практиці, використовуючи нанодріт телуру. Сегнетоелектричні матеріали мають здатність накопичувати електричний заряд, який зберігається навіть після відключення живлення, що ідеально підходить для пристроїв з енергонезалежною пам'яттю.

Створений вченими сегнетоелектричний польовий транзистор (SF-FET) поєднує в собі властивості сегнетоелектричних і напівпровідникових матеріалів. Цей пристрій відрізняється високою швидкістю перемикання (менше 20 нс), чудовою збереженістю даних і вражаючою щільністю запису. У майбутньому такі транзистори можуть відіграти ключову роль у створенні нейроморфних обчислювальних систем, що імітують роботу людського мозку, а також у зниженні енергоспоживання електронних пристроїв.

Цей прорив у галузі нанотехнологій має потенціал для кардинальних змін у пристроях пам'яті, а також у системах штучного інтелекту, забезпечуючи їх більш високу продуктивність і енергоефективність.