Майбутнє оперативної пам'яті — вже на горизонті: NEO Semiconductor показала 3D X-DRAM

Американська компанія NEO Semiconductor представила три нові підходи до створення оперативної пам'яті, які можуть змінити стандарти продуктивності та енергоефективності в індустрії. Йдеться про лінійку 3D X-DRAM, що включає осередки 1T1C, 3T0C та 1T0C, які поєднують елементи архітектури 3D NAND та матеріали на основі оксидів металів.

За заявою розробника, ключовою перевагою технології стала щільність чіпів — до 512 Гбіт, що в десять разів перевищує показники сучасних DRAM. Це досягнуто за рахунок вертикального розташування осередків, аналогічного методам, що використовуються у виробництві 3D NAND. Крім того, застосування транзисторів з каналами з IGZO (оксид індію-галлію-цинку) дозволило збільшити швидкість передачі даних до 10 наносекунд та зменшити енергоспоживання.

Особливий інтерес викликає можливість зниження навантаження на енергосистему: завдяки збільшеному часу утримання заряду (до 450 секунд) нові осередки вимагають менше циклів оновлення. Це критично важливо для центрів обробки даних та пристроїв з обмеженим живленням. Технологія 3T0C, що виключає конденсатори, орієнтована на завдання ШІ, тоді як 1T1C зберігає сумісність з поточними стандартами DRAM. При цьому виробничий процес модифікований мінімально, що спрощує інтеграцію в існуючі лінії.

Поки проект залишається на стадії симуляцій: перші тестові зразки очікуються до 2026 року. Компанія планує представити розробку на IEEE International Memory Workshop у травні 2025 року. Незважаючи на потенціал, великі гравці ринку, такі як Samsung або SK Hynix, поки не виявили публічного інтересу до технології. Однак в умовах зростаючого попиту на високопродуктивну пам'ять для нейромереж і складних обчислень, рішення NEO Semiconductor можуть стати затребуваними в найближчі роки.