Micron запускає пам'ять з рекордною пропускною здатністю для ІІ

Micron анонсувала вихід нової 12-канальної пам'яті HBM3E об'ємом 36 Гб, яка забезпечує вражаючу пропускну здатність понад 1,2 Тб/с. Це рішення призначене для високопродуктивних систем штучного інтелекту та центрів обробки даних, пропонуючи значні переваги порівняно з аналогічними продуктами від Samsung і SK Hynix.

З підвищеною ємністю та високою швидкістю піна, що перевищує 9,2 Гбіт/с, пам'ять Micron HBM3E стає ідеальним вибором для навчання моделей ШІ та обробки великих обсягів інформації. Більше того, вона відрізняється на 30% меншим енергоспоживанням, що робить її більш ефективною у використанні. У майбутньому Micron планує представити 16-шарову пам'ять HBM4 з пропускною здатністю до 1,65 Тб/с, що дозволить досягати нових висот у галузі штучного інтелекту.

Раніше ми писали про те, що Rambus представила новий контролер пам'яті HBM4, який обіцяє значно підвищити швидкість і пропускну здатність у галузі технологій пам'яті.