
Представлена пам'ять X-HBM, що випереджає навіть HBM8, яку очікують не раніше 2040 року

Американський стартап NEO Semiconductor представив архітектуру пам'яті X-HBM, яка за заявленими характеристиками значно перевершує навіть перспективні розробки конкурентів, заплановані на 2030-2040 роки. Основний прорив X-HBM полягає в радикальному збільшенні пропускної здатності та щільності зберігання даних.
Архітектура використовує 32K-бітну шину даних і забезпечує щільність до 512 гігабіт на один кристал. Для порівняння: очікувана до 2030 року пам'ять HBM5 матиме лише 4K-бітну шину і щільність близько 40 Гбіт/кристал. Навіть прогнозована HBM8 (орієнтовно 2040 рік) відстає з показниками 16K-біт і 80 Гбіт.
Ключові особливості:
- Устранення обмежень продуктивності. Значно ширша шина (в 8 разів ширша, ніж у HBM5) дозволить різко прискорити обмін даними між пам'яттю та GPU, критично важливий для навчання складних нейромереж і генеративного ШІ.
- Ефективність ресурсів. Висока щільність запису означає можливість використовувати менше фізичних чипів для зберігання того ж обсягу даних, що потенційно знижує енергоспоживання і спрощує конструкцію.
- Швидкість впровадження. Технологія базується на запатентованій NEO 3D X-DRAM архітектурі, представленій раніше. Компанія стверджує, що X-HBM готова до реалізації зараз, пропонуючи виробникам чипів шлях до «завтрашньої» продуктивності в найближчій перспективі.
Однак, незважаючи на вражаючі анонси, NEO Semiconductor поки не повідомляє про укладені контракти або інтерес великих виробників чипів або пам'яті до запуску X-HBM у серію. Індустрія, як зазначають спостерігачі, традиційно обережно ставиться до революційних, але не перевірених у масовому виробництві рішень, де ключовими факторами залишаються надійність і собівартість.
Архітектура X-HBM була детально представлена на саміті FMS, який стартував 5 серпня 2025 року. Технологія відкриває теоретичну можливість для стрибка в продуктивності систем ШІ, але її практична реалізація та комерційний успіх стануть зрозумілі лише за підтримки індустріальних партнерів.
-
Micron запускає пам'ять з рекордною пропускною здатністю для ІІ
-
Вчені створили пам'ять, яка витримає температуру вище 600°C
-
Швидкість і енергонезалежність: Samsung представила пам'ять нового покоління
-
Штучний інтелект від Microsoft працює на слабких ЦП, економлячи пам'ять у 6 разів
-
NVIDIA та партнери розробляють SOCAMM — пам'ять майбутнього для AI-комп'ютерів