Американський стартап NEO Semiconductor представив архітектуру пам'яті X-HBM, яка за заявленими характеристиками значно перевершує навіть перспективні розробки конкурентів, заплановані на 2030-2040 роки. Основний прорив X-HBM полягає в радикальному збільшенні пропускної здатності та щільності зберігання даних.
Архітектура використовує 32K-бітну шину даних і забезпечує щільність до 512 гігабіт на один кристал. Для порівняння: очікувана до 2030 року пам'ять HBM5 матиме лише 4K-бітну шину і щільність близько 40 Гбіт/кристал. Навіть прогнозована HBM8 (орієнтовно 2040 рік) відстає з показниками 16K-біт і 80 Гбіт.
Ключові особливості:
Однак, незважаючи на вражаючі анонси, NEO Semiconductor поки не повідомляє про укладені контракти або інтерес великих виробників чипів або пам'яті до запуску X-HBM у серію. Індустрія, як зазначають спостерігачі, традиційно обережно ставиться до революційних, але не перевірених у масовому виробництві рішень, де ключовими факторами залишаються надійність і собівартість.
Архітектура X-HBM була детально представлена на саміті FMS, який стартував 5 серпня 2025 року. Технологія відкриває теоретичну можливість для стрибка в продуктивності систем ШІ, але її практична реалізація та комерційний успіх стануть зрозумілі лише за підтримки індустріальних партнерів.