На процесори навчилися наносити пам'ять товщиною в атом

Дослідники з Шанхаю представили практичну технологію, яка дозволяє створювати мікросхеми пам'яті товщиною в кілька атомів і інтегрувати їх безпосередньо в кремнієві чіпи, що відкриває шлях до більш компактних і енергоефективних електронних пристроїв.

Головною проблемою, довгий час заважала використанню ультратонких матеріалів в електроніці, була неідеальна поверхня кремнієвих чіпів, адже на мікроскопічному рівні вона далеко не гладка і може пошкодити одноатомний шар. Китайським фахівцям вдалося вирішити цю задачу, розробивши метод, при якому шар сульфіду молібдену рівномірно покриває кристал, не рветься і не деформується.

Створений за цією технологією гібридний чіп поєднує в собі стандартний керуючий блок і пам'ять типу NOR, розташовану в тонкій двомірній плівці, при цьому лабораторні тести підтвердили його повну функціональність. Мікросхема демонструє високу швидкість роботи і виняткову енергоефективність. Показник виходу придатних виробів у 94% свідчить про те, що метод можна адаптувати для промислового виробництва на поточних конвеєрних лініях.

Впровадження подібних рішень у майбутньому дозволить створювати процесори з вбудованою надшвидкою і економічною пам'яттю, що може призвести до появи нового класу електроніки, де межа між обчислювальними ядрами і пам'яттю стане практично невидимою, а це критично важливо для розвитку мобільних систем і штучного інтелекту.

Це досягнення стає логічним продовженням іншої перспективної роботи — створення в Китаї процесора RV32-WUJI на основі дисульфіду молібдену. Якщо тоді вчені показали, що з двомірних матеріалів можна створювати повністю самостійні чіпи, то нова технологія ATOM2CHIP демонструє, як їх же можна гнучко інтегрувати в існуючу кремнієву електроніку. Замість конкуренції підходів, вони починають доповнювати один одного: один відкриває шлях до принципово нової мікроелектроніки, а інший дозволяє радикально покращити вже існуючу.