Samsung запускає масове виробництво QLC V-NAND пам'яті 9-го покоління

Компанія Samsung Electronics розпочала серійне виробництво вертикальної NAND-пам'яті QLC V-NAND 9-го покоління. Всього через чотири місяці після виходу версії TLC, компанія розширює лінійку передових рішень для зберігання даних, пропонуючи споживачам більш ефективні та надійні технології.

Нове покоління пам'яті, ємністю 1 Тбіт, буде використовуватися в широкому спектрі продуктів, починаючи від споживчих пристроїв і закінчуючи SSD для ПК та серверів. Серед ключових технологічних проривів Samsung — технологія травлення каналів Channel Hole Etching, яка дозволила досягти найбільшої кількості шарів в індустрії, а також підвищення щільності бітів на 86 % порівняно з попереднім поколінням.

Крім того, пам'ять має покращену швидкість запису, збільшену на 60 % і зниженим енергоспоживанням, що робить її ідеальною для вирішення складних завдань, пов'язаних з ІІ та хмарними сервісами.