Анонсовано новий контролер пам'яті HBM4 з вражаючими характеристиками

Компанія Rambus представила свій новий контролер пам'яті HBM4, який обіцяє революційні покращення в швидкості та пропускній здатності порівняно з попередніми моделями HBM3 та HBM3E. З підтримкою швидкості до 10 Гбіт/с та стартовою пропускною здатністю в 2,56 ГБ/с, цей контролер орієнтований на потреби штучного інтелекту та центрів обробки даних.

Згідно з останніми даними, специфікація HBM4 від JEDEC знаходиться на завершальній стадії, і очікується, що нова пам'ять забезпечить швидкість понад 6,4 Гбіт/с на контакт. Це перевищує показники першого покоління HBM3 і забезпечує вищу пропускну здатність порівняно з HBM3E, що використовує 16-шарові стеки. Початкова пропускна здатність HBM4 складе 1,63 ГБ/с, що на 33% більше, ніж у HBM3E і вдвічі більше, ніж у HBM3.

У той час як рішення HBM3E досягають максимальних швидкостей до 9,6 Гбіт/с і забезпечують пропускну здатність до 1,22 ТБ/с, нове покоління HBM4 виводить ці показники на новий рівень. Також варто зазначити, що нові функції, такі як корекція помилок (ECC) та механізми виправлення помилок (RMW), зроблять пам'ять більш надійною.

SK Hynix вже запустила серійне виробництво своєї 12-шарової пам'яті HBM3E, тоді як Rambus планує повне впровадження HBM4 цього місяця, а Samsung має намір розпочати масове виробництво HBM4 до кінця 2025 року.