SK hynix представила рекордні стеки HBM3E на 48 Гб для

Компанія SK hynix анонсувала унікальні стеки пам'яті HBM3E ємністю 48 Гбайт, що складаються з 16 кристалів. Ця інновація представляє собою прорив в архітектурі 16-Hi і відкриває нові горизонти для пам'яті. Концепція «Креативної пам'яті», запропонована SK hynix, передбачає використання напівпровідників нового покоління, які забезпечують потужні обчислювальні можливості для виконання складних завдань.

Нова пам'ять HBM3E демонструє збільшену продуктивність: до 18% в навчанні ІІ-моделей і до 32% при обробці даних порівняно з попередніми 12-Hi рішеннями. Це рішення, з урахуванням зростаючого попиту на ІІ-прискорювачі, допоможе SK hynix зміцнити свої позиції на ринку.

Максимальна швидкість передачі даних у нових стеках HBM3E досягає 9,2 Гбіт/с, забезпечуючи пропускну здатність понад 1,2 Тбайт в секунду. Для вирішення проблеми нестачі пам'яті SK hynix розробляє технології CXL, що забезпечують інтеграцію різних типів пам'яті в масиви високої ємності.

На додаток до HBM3E, компанія розробляє модулі LPCAMM2 для ПК та дата-центрів, а також енергоефективну пам'ять LPDDR5 і LPDDR6, що використовує техпроцес 1c. SK hynix також планує інтеграцію логіки в базовий кристал пам'яті HBM4, що дозволить створити кастомізовані рішення за запитами клієнтів.

Прагнення компанії подолати «бар'єр пам'яті» реалізується через впровадження технологій з вбудованими обчислювальними можливостями, таких як Processing near Memory (PNM) і Processing in Memory (PIM). Ці розробки дозволять обробляти величезні обсяги даних, мінімізуючи затримки і збільшуючи загальну пропускну здатність, відкриваючи нові можливості для ІІ-систем наступного покоління.