Micron анонсувала новий стандарт пам'яті HBM4E з можливістю налаштування

Компанія Micron розкрила амбіційні плани на найближче майбутнє в галузі виробництва високошвидкісної пам'яті. В рамках квартального звіту було анонсовано, що в 2026 році розпочнеться масове виробництво пам'яті HBM4, а незабаром після цього — і вдосконаленої версії HBM4E. Ключове відмінність останньої — можливість кастомізації базового кристала, що відкриє нові горизонти для великих замовників.

Базовий кристал пам'яті HBM4E буде оснащений необхідною логікою для роботи з пам'яттю і стане гнучким інструментом для клієнтів, дозволяючи інтегрувати нові інтерфейси, збільшувати кеш або додавати функції шифрування даних. Micron буде працювати з передовим виробничим процесом TSMC, що дозволить підвищити гнучкість і продуктивність пристрою.

У найближчі роки компанія буде конкурувати з такими гігантами, як SK hynix і Samsung, які також активно розробляють нові покоління HBM. Вже в 2026 році Micron планує розпочати масове виробництво HBM4 з максимальною пропускною спроможністю 6,4 гігатранзакцій за секунду і підтримкою 2048-розрядної шини. Це дозволить пам'яті HBM4 значно покращити показники в порівнянні з попереднім поколінням.

Крім того, в рамках переходу на нові технології, Micron активізує роботи з інтеграції пам'яті та логічних напівпровідників в єдиному корпусі, що забезпечить більш ефективну продуктивність. Інтеграція цієї технології очікується в таких масштабних проектах, як архітектура NVIDIA Rubin AI та лінійка AMD Instinct MI400.